GaAs（gaa是什么意思）

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本文目录一览：

• 1、GaAs中起施主作用的是
• 2、为什么gaas是直接带隙材料
• 3、砷化镓晶胞化学式
• 4、砷化镓集成电路主要用于什么领域?

GaAs中起施主作用的是

1、GaAs中起施主作用的是具有施主型的深能级；这种氧原子也可以与其他点缺陷构成复合的点缺陷，都起着施主作用。

2、a）在GaAs、GaP等Ⅲ-Ⅴ族半导体中，Ⅵ族元素是施主杂质，替代晶格上的Ⅴ族原子。

3、elo指ELO中心，是半绝缘体GaAs中容易出现的一种缺陷中心。它实际上就是取代了晶格中As原子的氧原子，这是一种点缺陷，具有施主型的深能级；这种氧原子也可以与其他点缺陷构成复合的点缺陷，都起着施主作用。

4、———补充： 三氧化二硼（Boron trioxide）是一种耐高温的绝缘材料。 三氧化二硼在半导体材料制作中有重要的应用。

为什么gaas是直接带隙材料

直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量。

一般所用的半导体材料有两大类，直接带隙材料和间接带隙材料，其中直接带隙半导体材料如GaAs（砷化镓）比间接带隙半导体材料如Si有高得多的辐射跃迁几率，发光效率也高得多。

GaP是间接带隙半导体，其发光也是间接跃迁产生的。但如果将GaP和GaAs混合制成GaAs1-xPx晶体，则可调节x(0＜x＜1)值改变混合晶体的能带结构，CaAs1-xPx可能成为直接带隙半导体。这与半导体的能带结构（EK关系）有关。

砷化镓晶胞化学式

砷化镓是一种重要的半导体材料。属于第八族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构，化学式GaAs。黑灰色固体，熔点1238摄氏度，它在600摄氏度以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。

砷化镓，化学式 GaAs。黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。因为GaAs的晶体很稳定，所以如果身体吸收了少量的GaAs，其实是可以忽略的。

(1)GaAs　(2)NH 3 ＞AsH 3 ＞PH 3 　(3)＞　(4)BCD 由晶胞的结构知每一个砷化镓晶胞中含有4个As原子、4个Ga原子，因此砷化镓的化学式为GaAs。

是晶态化合物半导体。砷化镓，化学式GaAs，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。

砷化镓是属于闪锌矿型晶体类型，砷化镓是镓和砷两种元素所合成的化合物，也是重要的IIIA族、VA族化合物半导体材料，用来制作微波集成电路、红外线发光二极管、半导体激光器和太阳电池等元件。

北京有色金属研究总院宣布，国内成功拉制出了第一根直径4英寸的VCZ半绝缘砷化镓单晶。砷化镓，化学式 GaAs。黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。

砷化镓集成电路主要用于什么领域?

电子有效质量小，能带结构特殊，具有双能谷导带，可以制备发光器件、半导体激光器、微波体效应器件、太阳能电池和高速集成电路等，广泛用于雷达、电子计算机、人造卫星、宇宙飞船等尖端技术中。

主要是用来做半导体器件。种类非常多。 应用也极其广泛。现在的电子电路里面基本上离不开半导体器件， 咱们用的电脑手机，里面的集成电路就是用半导体做的，主要是用 硅做材料。各种电器里面的电路也都要用到半导体器件。

砷化镓的物理特性决定了以它为材料的半导体具有高能带，高截止频率，高功率等特点。适合高频率应用。在射频微波领域，相比cmos，砷化镓还有很广泛的应用。

集成电路它是半导体技术发展中最活跃的一个领域，已发展到大规模集成的阶段。在几平方毫米的硅片上能制作几万只晶体管，可在一片硅片上制成一台微信息处理器，或完成其它较复杂的电路功能。

半导体行业主要是做集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明应用、大功率电源转换等领域。如二极管就是采用半导体制作的器件。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。

适合于制造微波体效应器件、高效红外发光二极管和半导体激光器，因而砷化镓是一种很有发展前途的半导体材料。随着大规模集成电路制造工艺水平的提高，半导体化学的研究领域和对象也将不断地扩展。

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